[发明专利]一种新型复合激励多延展方向缺陷漏磁场检测方法在审

专利信息
申请号: 202110822714.0 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113376247A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 韦明辉;涂凤秒;张鹏;刘俊;江丽霞;姜蓬勃;邓霜;蔡卫;许明泽;何怡林 申请(专利权)人: 西南石油大学
主分类号: G01N27/83 分类号: G01N27/83
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610500 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出了一种新型复合激励多延展方向缺陷漏磁场检测方法,属于缺陷检测领域。所述缺陷检测方法包括:周向检测器与轴向检测器两部分。周向检测器为磁极分量环形结构,由小幅交流线圈与非饱和直流线圈在轭铁上绕制而成,在沿管壁周围的4个分离的磁化器之间均匀的布置有磁敏传感器阵列,主要用于对轴向延伸缺陷的检测。轴向检测器为二级线圈结构,主要利用两个激励线圈相互串联连接,提供直流激励电源,在线圈中心位置产生较为均匀的磁化场,在两个线圈的中间布置磁敏传感器,组成轴向磁敏检测阵列,主要用于对周向延伸缺陷的检测。同时两大磁化器间隔相应间距,进一步减小磁场的相互干扰。本发明实现了管道漏磁无损检测磁化器的小型化并减小了漏检几率,对于轴向与周向延展方向都有较好的检测效果。
搜索关键词: 一种 新型 复合 激励 延展 方向 缺陷 磁场 检测 方法
【主权项】:
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