[发明专利]热处理结晶化半导体氧化物的转印技术

摘要

本发明的目的是提供一种高温热处理并退火的结晶化半导体金属氧化物薄膜晶体管的低温转印技术方法。首先采用印刷工艺在转移板上印刷半导体金属氧化物图案。第二步将印有半导体金属氧化物图案的耐高温转移板放入加热退火炉中进行热处理，IGZO氧化物控制在600度左右。第三步，将涂胶的绝缘薄膜，如PET薄膜，和退火降温后的结晶化半导体金属氧化物图案贴合，转印到事先印好行扫描线和第一晶体管T1栅极导电图案的薄膜上，这个转印过程是颠倒逆反的，使原本涂胶薄膜在半导体金属氧化物图案上方，转印到在半导体金属氧化物下方。涂胶薄膜成为T1栅极的导电层和结晶化氧化物半导体层之间的绝缘层。