[发明专利]用于痕量甲醛气体检测的栅极敏感型FET气体传感器阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202110813558.1 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113640361A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张勇;刘灿;张志勇;曹觉先;关笑笑 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;H01L21/82;H01L27/088 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松 |
| 地址： | 411105 湖南省湘潭市雨湖区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于痕量甲醛气体检测的栅极敏感型FET气体传感器阵列，包括：阵列基板；在阵列基本表面通过半导体工艺制备的多个甲醛气体传感器，所述甲醛气体传感器为栅极敏感型传感器，并且多个甲醛气体传感器成周期性分布；其中，所述栅极敏感型传感器包括以碳纳米管作为沟道的FET传感器，依次包括：碳纳米管(CNT)构成的沟道层；位于沟道层上方的介电层；位于沟道层两侧并分隔开的源极以及漏极，介电层位于源极与漏极之间；以及位于源极与漏极之间并形成于介电层上方的敏感层，作为栅极，所述敏感层为连续分布的贵重金属敏感层。本发明的栅极敏感型FET气体传感器阵列，可在气体种类繁多的复杂环境下，例如常见的空气环境中，实现对痕量甲醛气体进行精准检测。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 痕量 甲醛 气体 检测 栅极 敏感 fet 传感器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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