[发明专利]基于超临界CO2有效

专利信息
申请号: 202110803580.8 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN113555422B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 冯倩;蔡云匆;王正兴;田旭升;张春福;周弘;张进成 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/24;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;王喜媛
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于超临界CO2处理的Ga2O3MOSFET器件及制作方法,主要解决现有器件漏电流和亚阈值摆幅大的问题。其技术特征是:将现有Ga2O3MOSFET器件结构中的绝缘栅介质层,采用SiO2、Al2O3、HfO2和ZrO2中的一种或多种,并对制备完成后的器件进行超临界二氧化碳处理,即将器件置于超临界设备腔室,向室内放入去离子水或异丙醇,密封后再充入CO2,并将设备升温至118‑122℃,升压至19‑21Mpa,保持超临界状态1‑2h,再将设备温度降至室温,压强降至大气压后取出器件。本发明减小了漏电流和亚阈值摆幅、增大了载流子迁移率,提高了稳定性,可用于制作高性能的Ga2O3器件。
搜索关键词: 基于 临界 co base sub
【主权项】:
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