[发明专利]一种VGF法生长磷化铟单晶的方法有效
| 申请号： | 202110802948.9 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113638048B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 包文瑧;柳廷龙;赵兴凯;普世坤;何永彬;叶晓达;祝永成;权忠朝 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 650000 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vgf 生长 磷化 铟单晶 方法 | ||
【主权项】：
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