[发明专利]一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法在审
| 申请号： | 202110796683.6 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113445125A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 唐慧丽;徐军;罗平;吴锋;王庆国;张超逸;薛艳艳 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 顾艳哲 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法，装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设置，由独立加热的上温区和下温区组成。本装置采用上、下双温区独立加热，上温区为高温区具有较小的轴向温度梯度，能够有效控制由于熔体温度过高而导致氧化镓原料分解挥发的加剧；下温区为低温区，能够对晶体进行原位退火减少晶体内部应力，上、下温区加热功率相互匹配调节能够更灵活地调控热场的轴向、径向温度梯度。与现有技术相比，本发明能够有效抑制高温晶体生长过程中氧化镓原料的分解挥发，提高晶体的结晶完整性，延长坩埚使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 下降 生长 氧化 镓体单晶 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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