[发明专利]一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202110795264.0 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113488530A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 唐楚滢;杜方洲;于洪宇;汪青;王祥;卢宏浩;武占侠 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/417;H01L21/28;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的氧化镍层、铂层和金层，其中，所述氧化镍层为P型结构，所述铂层位于所述P型氧化镍层和金层的中间，所述氧化镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，用于p型氮化镓基器件的源极和漏极，通过引入P型NiO层，过渡金属和半导体界面的肖特基势垒高度，使更多的载流子在金属和半导体间流动，同时通过超高真空热处理，解决了Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
暂无信息
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