[发明专利]用于近红外改进的单元深沟槽隔离结构

摘要

本申请涉及用于近红外改进的单元深沟槽隔离结构。像素单元包含光电二极管，所述光电二极管经安置在像素单元区域中且靠近半导体层的前侧，以响应于通过背侧引导到所述光电二极管的入射光而产生图像电荷。单元深沟槽隔离CDTI结构沿着所述入射光到所述光电二极管的光学路径且靠近所述背侧安置在所述像素单元区域中。所述CDTI结构包含从所述背侧朝向所述前侧延伸第一深度的中心部分。平面外部部分从所述中心部分横向向外延伸。所述平面外部部分进一步从所述背侧朝向所述前侧延伸第二深度。所述第一深度大于所述第二深度。由所述平面外部部分中的每一者形成的平面相交于与所述CDTI结构的所述中心部分的纵向中心线重合的线中。