[发明专利]基板处理方法及其基板处理装置、半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种利用基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置包括：腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，设置在腔室，以支撑基板；气体喷射部，设置在基板支撑部上部，以喷射用于执行工艺的气体；排气部，排放处理空间的气体，并且包括用于控制压力的阀门；加热器，设置在腔室的外侧；基板处理方法包括反复一次以上的变压步骤，其中，变压步骤包括：增压步骤，向处理空间注入工艺气体，将腔室的内部压力从第一压力增压至高于常压的第二压力；降压步骤，将腔室的内部压力从第二压力降压至第三压力；其中，降压步骤中的工艺气体供应量小于增压步骤的工艺气体供应量，第三压力为常压。