[发明专利]一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110775577.X | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113687556B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王磊;张秀全;陈峰;胡卉 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02F1/377 | 分类号： | G02F1/377;G02F1/355;G02F1/35;G02B6/132;G02B6/138 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双层 铌酸锂 薄膜 光子 波导 倍频 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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