[发明专利]用于制造雪崩光电二极管器件的方法在审
| 申请号： | 202110772098.2 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113921651A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | A·斯里尼瓦桑;P·韦尔海茵;P·阿布西尔;J·范卡姆潘豪特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/107 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;陈斌 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提出了一种用于加工雪崩光电二极管(APD)器件，具体而言是分离式吸收电荷倍增(SACM)APD器件的方法。该方法包括在半导体层中形成第一接触区域和第二接触区域。此外，该方法包括在半导体层的至少第一区域上方与该第一接触区域相邻地形成第一掩模层，并在该第一掩模层上方且与该第一掩模层横向交叠地形成第二掩模层。由此，掩模窗由第一掩模层和第二掩模层来限定，并且第一掩模层和/或第二掩模层在该半导体层的第二区域上方与第二接触区域相邻地形成。此外，该方法包括穿过该掩模窗在该半导体层中形成电荷区，其中该电荷区被形成在第一区域和第二区域之间，并且该方法包括使用第一掩模层来在第一区域上形成吸收区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 雪崩 光电二极管 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会，未经IMEC非营利协会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110772098.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有增强的功能的计算机鼠标
- 下一篇：三维断层摄影检查装置及图像获取方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
