[发明专利]一种多孔碳化硅原料的制备方法在审
| 申请号： | 202110766518.6 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113264780A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种多孔碳化硅原料的制备方法，它属于多孔碳化硅材料制备技术领域。本发明要解决的技术问题为改善多孔碳化硅原料的孔隙率。本发明称量碳化硅放入球磨罐中，然后放入0.5倍质量的钨钢磨球，进行球磨后的碳化硅用筛子筛分，按照重量份数分别称量25‑30份的筛分后的碳化硅粉料、8‑10份的石墨、3‑5份的水玻璃、45‑55份的去离子水，称量好的筛分后的碳化硅粉料加入去离子水，搅拌后再加入石墨，然后再加入水玻璃，搅拌一定时间后，得到混合浆料注入模具中，然后在室温下进行干燥24‑30h，脱模后得到胚体置于电阻炉中升温至1800℃，保持3‑4h，随后随炉冷却得到一种多孔碳化硅原料。本发明原料孔隙率为45‑55％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳化硅 原料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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