[发明专利]高击穿电压和低导通电阻的常开HFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110759650.4 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113555429A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;谭秀洋;徐亮;夏晓宇;马建铖;张淼;夏凡;李渊;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及高击穿电压和低导通电阻的常开HFET器件及其制备方法，包括依次层叠的缓冲层和势垒层，间断极化复合结构位于势垒层上，间断极化复合结构包括第一极化复合结构和第二极化复合结构，第一和第二极化复合结构分别由i型GaN帽层和位于其上的p型GaN帽层构成，其中第二极化复合结构中i型GaN帽层的宽度大于p型GaN帽层的宽度；p型GaN帽层上分别设置有基电极，源电极、漏电极和栅电极分别设置于势垒层上；该器件和方法通过间断极化复合结构的设置以及极化结中i型GaN帽层的延伸设置，调制了表面电场和体电场，使得在极化结的基础上大幅提高击穿电压，同时具有小的导通电阻，克服了击穿电压和导通电阻之间的折衷关系。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 通电 常开 hfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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