[发明专利]一种双结型Ga2

摘要

本发明公开了一种双结型Ga2O3器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取柔性衬底；在柔性衬底的上表面覆盖多层BN薄膜，形成第一BN薄膜层；在第一BN薄膜层上设置Ga2O3衬底并加热，以使Ga2O3衬底与第一BN薄膜层紧密贴合；在Ga2O3衬底上进行离子注入，形成P型Ga2O3层；在P型Ga2O3层上进行离子注入，形成N型Ga2O3层；在N型Ga2O3层的上表面生长ZnSe荧光层；在ZnSe荧光层的上表面涂覆可见光反射层；在可见光反射层的上表面两侧分别刻蚀制作源电极和漏电极；在源电极、漏电极及可见光反射层的上表面覆盖多层BN薄膜，形成第二BN薄膜层。该双结型Ga2O3器件具有优秀的芯片性能，能承受更高的温度和电压，能应用在大电压、大功率的设备与场景中。