[发明专利]一种半导体测试样品及其制备方法有效
| 申请号： | 202110756511.6 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113484113B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 丁瑞 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 任嘉文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体测试样品及其制备方法，用以解决SSRM等成像技术中金属导体的存在对离子注入区域成像衬度的影响，从而提高SSRM的扫图质量。本申请提供的一种半导体测试样品的制备方法，包括：提供待分析产品，所述产品包括导电互连层和位于所述导电互连层下方的半导体掺杂区；选择性去除所述导电互连层中的导电材料，采用非导电材料取代所述导电材料，将所述导电互连层替换为绝缘牺牲层；以同时包含所述绝缘牺牲层和所述半导体掺杂区的所述产品作为所述测试样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 测试 样品 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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