[发明专利]一种晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法在审
| 申请号： | 202110753623.6 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113471145A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 肖静;李教富 | 申请（专利权）人： | 泰山学院 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02;C01B32/15 |
| 代理公司： | 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 林玲 |
| 地址： | 271000*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法，包括以下步骤:提供生长有石墨炔薄膜的生长基底和柔性基底，将所述柔性基底贴合于所述生长有石墨炔薄膜的生长基底以使柔性基底和生长基底从两面夹住石墨炔薄膜，除去柔性基底与生长基底之间的气泡，刻蚀生长基底，实现石墨炔薄膜从生长基底转移至柔性基底上。本发明晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法先将柔性基底紧密贴合到石墨炔薄膜上，除去柔性基底与生长基底之间的气泡，刻蚀生长基底，由此实现石墨炔薄膜从生长基底转移至柔性基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 尺度 石墨 薄膜 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
