[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110743405.4 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113764352A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。方法包括：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；以及在隔离区上方形成第一多个突出鳍和第二突出鳍。第一多个突出鳍包括远离第二突出鳍的外部鳍和最靠近第二突出鳍的内部鳍。该方法还包括蚀刻第一多个突出鳍以形成第一凹进，从第一凹进生长第一外延区，其中，将第一外延区合并以形成合并的外延区，蚀刻第二突出鳍以形成第二凹进，从第二凹进生长第二外延区。合并的外延区的顶表面在面向第二外延区的一侧比在背离第二外延区的一侧低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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