[发明专利]一种氢氧化镍纳米阵列/碳布电极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110742986.X | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113470993A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴牧宸;支明佳;洪樟连 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/24;C01G53/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氢氧化镍纳米阵列/碳布电极材料及其制备方法，该制备方法包括：S1：将清洗干燥后的碳布放入浓硝酸和浓硫酸组成的第一溶液中，随后进行活化处理，清洗后得到活化碳布；S2：将活化碳布浸没于第二溶液，得到混合体系；所述第二溶液为六水合硝酸镍溶于无水乙醇所得；将所述混合体系利用无水乙醇进行超临界干燥，得到氢氧化镍纳米阵列/碳布电极材料。通过上述方法制备的氢氧化镍纳米阵列/碳布电极材料具有优异的电化学性能和机械稳定性，可应用于超级电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢氧化 纳米 阵列 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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