[发明专利]N极性GaN晶体管结构的制备方法和半导体结构在审
| 申请号： | 202110742866.X | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113471284A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李成果;曾巧玉;尹雪兵;葛晓明;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 梁晓婷 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种N极性GaN晶体管结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，通过沉积形成Ga极性的外延功能层，并在外延功能层上键合形成支撑衬底，然后将该外延结构倒置后去除结构衬底和缓冲层，在暴露出的外延功能层远离支撑衬底的一侧制作源极、漏极和栅极，以形成N极性的GaN晶体管结构。其中，N极性GaN晶体管的外延结构由直接生长的Ga极性外延层上下倒置获得，其材料质量相比直接外延生长的N极性材料更高，能够得到高电阻的GaN绝缘层和陡峭界面的异质结，因而可增强N极性GaN晶体管的耐高压能力、减小器件导通损耗，提升器件整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 gan 晶体管 结构 制备 方法 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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