[发明专利]一种深紫外非晶氧化镓光电探测器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110738976.9 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113451447A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈朗;叶茂;张立冬;胡松柏;王琪祚;刘奇;李晓文;徐泽东 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/032;H01L31/0376;H01L31/09 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深紫外非晶氧化镓光电探测器及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光沉积法在衬底的表面制备非晶氧化镓薄膜，得到薄膜样品；(2)依次采用紫外光刻法和磁控溅射法在所述薄膜样品的薄膜一侧表面制备叉指电极，得到深紫外非晶氧化镓光电探测器；其中，步骤(1)所述脉冲激光沉积法的氧气分压为0.13‑1.3Pa。所述光电探测器包括依次设置的衬底、非晶氧化镓薄膜和叉指电极；所述应用包括分析测试、环境监测、工业自动化控制、空间通信和导弹跟踪领域。本发明提供的光电探测器克服了同质衬底昂贵，异质衬底热失配大的问题，同时提升了器件信噪比和响应速度，简化了制备方法并适应于工业生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 外非晶 氧化 光电 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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