[发明专利]基于双柱电介质超表面的偏振器件在审
| 申请号： | 202110736705.X | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113466984A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 邓子岚;涂清安;李枫竣;李向平 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02B1/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 雷芬芬 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件，包括电介质基底、电介质纳米柱阵列，所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子，N≥2，所述的双原子超构分子位于电介质基底上，所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱，两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角，两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面；通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和，实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。本发明通过利用电介质双原子结构实现了衍射光振幅、偏振的同时独立调控，增加了自由度，激发了超构表面偏振光学的应用潜能，提供了更多的超构表面应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电介质 表面 偏振 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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