[发明专利]基于双栅压调控的高增益石墨烯光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于双栅压调控的高增益石墨烯光电探测器及其制备方法。其中，该探测器包括从上至下地结构为顶层半导体、中间层绝缘介质、底层半导体的衬底；还包括漏极电极、源极电极、顶栅电极和底栅电极，漏极电极与源极电极分别设置在所述顶层半导体上方两端处；还包括在漏极电极与源级电极之间的器件沟道，覆盖在器件沟道上方的离子绝缘层；顶栅电极、底栅电极分别与漏极电极、源极电极连接，还分别与离子绝缘层、底层半导体连接。该探测器利用底栅极调控半导体薄膜内载流子的浓度和分布，同时顶栅通过离子凝胶调控石墨烯内载流子的浓度和类型，将响应波段从可见光拓展至近红外波段，在响应度增大的同时响应时间也得到加快。