[发明专利]嵌入式晶片级光学传感器封装在审
| 申请号: | 202110685459.X | 申请日: | 2021-06-21 | 
| 公开(公告)号: | CN113903756A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 | 
| 发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 | 
| 地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本公开的各实施例涉及嵌入式晶片级光学传感器封装。本公开涉及具有嵌入式光传感器和嵌入式光发射器的传感器裸片及其制造方法。传感器裸片中的光发射器被树脂围绕。传感器裸片被并入到半导体装置封装件及其制造方法中。半导体装置封装件包括传感器裸片的光传感器上的第一透光结构、以及传感器裸片的光发射器上的第二透光结构。第一透光结构和第二透光结构分别覆盖和保护光传感器和光发射器。模制化合物在传感器裸片的表面上并且覆盖传感器裸片上的第一透光结构的侧壁和第二透光结构的侧壁。 | ||
| 搜索关键词: | 嵌入式 晶片 光学 传感器 封装 | ||
【主权项】:
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





