[发明专利]一种铁电存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110684214.5 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113421882A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陶谦 | 申请（专利权）人： | 无锡拍字节科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L27/11512;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张瑞莹;张东梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种铁电存储器结构，包括衬底、铁电电容及保护层，其中衬底包括源区、漏区、栅极区以及器件间隔离区；铁电电容，通过第一互连结构连接至衬底的源区和/或漏区，以及第二互连结构连接至板线，且包括铁电材料层以及分别设置于铁电材料层的上下表面的电极层；以及保护层包括设置于铁电电容下表面的第一保护层以及包覆铁电电容上表面及侧面的第二保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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