[发明专利]一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构在审
| 申请号： | 202110683880.7 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113445129A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张海涛;山本晓;许彬 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 刘秀颖 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN制备技术领域，且公开了一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构，包括安装基板和沉积底座，所述安装基板的底部表面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔离气体的环形导流圈，安装基板的底部表面中心处安装有混合导流圈，混合导流圈的内腔中心处安装有多个用于工艺气体导流的隔离圈，所述安装基板的底部表面中心处通过连接杆安装有混流挡板。该防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构，未沉积的工艺气体呈辐射状扩散在工艺气体回流区内回流，隔离气体气膜层对未沉积的工艺气体进行引导回收，从而有效的降低工艺气体回流对设备表面产生腐蚀，降低或避免回流工艺气体对沉积的GaN材料成长的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 工艺 气体 回流 外延 反应 结构 | ||
【主权项】：
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