[发明专利]设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件在审
| 申请号： | 202110680897.7 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113488095A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈彝梓;谢豪泰;叶哲儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C7/18;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种设计电路的方法。该方法包括：设置电路；选择该电路中的第一NMOS鳍式场效应晶体管；以及将具有第一鳍数量的第一NMOS鳍式场效应晶体管替换为具有第二鳍数量的第二NMOS鳍式场效应晶体管和具有第三鳍数量的第三NMOS鳍式场效应晶体管，其中，第二鳍数量与第三鳍数量之和等于第一鳍数量。本发明的实施例还提供了一种SRAM器件。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 电路 方法 以及 静态 随机存取存储器 器件 | ||
【主权项】：
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