[发明专利]一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法有效
| 申请号： | 202110678681.7 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113184924B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈洪祥;李升;戴品强;林智杰;洪春福;常发 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM) |
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| 搜索关键词： | 一种 固相插层 法制 备高熵 层状 化合物 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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