[发明专利]漏斗型氮化镓纳米线及其制备方法在审
| 申请号： | 202110670495.9 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113488433A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 宗杨;黄辉;唐祯安 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 郭智 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种漏斗型氮化镓纳米线及其制备方法，涉及纳米材料技术领域。本发明提供的漏斗型氮化镓纳米线的制备方法，在反应器内将镓源、氨气在负载有特定厚度催化剂的衬底上进行第一次化学气相沉积，在高镓源/氨气气流比条件下使得纳米线按照VLS模式和VS混合模式生长，制备得到了顶端带有催化剂颗粒的棱锥状纳米线；然后改变化学气相沉积条件，在低镓源/氨气气流比条件下，利用纳米线顶端的催化剂实现VLS生长，在棱锥状纳米线顶端继续生长出圆柱状纳米线，制备得到漏斗型氮化镓纳米线。本发明的制备方法简单快捷，打破了氮化镓纳米线单一的形态结构。 | ||
| 搜索关键词： | 漏斗 氮化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110670495.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
