[发明专利]一种基于四矩形硅柱结构的全介质超表面折射率传感器在审
| 申请号： | 202110645693.X | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113376122A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高子昂;余世林;赵同刚 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于四矩形硅柱结构的全介质超表面折射率传感器，所述光学折射率传感器主要由介质基底和硅超表面微结构单元阵列组成，其中硅超表面微结构单元阵列由若干个微结构单元组成：每个微结构单元由四个完全相同的矩形硅柱构成且矩形硅柱中心对称分布。本发明无金属结构，无欧姆损耗，可用于不同折射率的气体液体的检测，具有较高的灵敏度和品质因数。此外，本发明基于硅材料，具有CMOS兼容性，有望实现大规模集成生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 矩形 结构 介质 表面 折射率 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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