[发明专利]可用于纳米级位移测量的液晶光尺及其制备方法有效
| 申请号： | 202110625045.8 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113532280B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 叶华朋;刘晨;何健民;袁冬;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 洪铭福 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种可用于纳米级位移测量的液晶光尺及其制备方法。该方法包括：获取光尺初始结构；通过衍射计算得到光尺初始结构的强度分布；根据强度分布得到零点宽度、强度值，并对零点宽度、强度值及预设阈值进行比较得到比较结果；根据比较结果对光尺初始结构进行迭代优化，得到光尺优化结构；对光尺优化结构进行刻度标记精度测量，根据测量结果对光尺优化结构进行优化得到目标光尺结构；根据目标光尺结构制备等离子体超掩膜，根据等离子体超掩膜对液晶盒进行曝光、液晶填充得到液晶光尺。本申请所提供的方法通过等离子体超掩膜对可用于纳米级位移测量的液晶光尺直接进行曝光成型，以降低制备成本，并提高可用于纳米级位移测量的液晶光尺的加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 位移 测量 液晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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