[发明专利]一种基于激光成型的扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110622165.2 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113394120A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨冠南;崔成强;童金;张昱;徐广东 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光成型的扇出型封装结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.将玻璃基板表面粗化，并在其上表面沉积或溅射一层Ti金属或者Ti合金，得到金属层玻璃基板；S2.将纳米铜、纳米银或纳米银包铜中的一种或多种涂覆在步骤S1得到金属层玻璃基板，进行激光照射，使金属层烧结形成再布线层；S3.去除未烧结的纳米铜、纳米银或纳米银包铜和未烧结的金属层；S4.进行激光照射使芯片与再布线层键合；最后后处理得到封装结构；所述步骤S2和步骤S4的激光功率0.1～10W；扫描速度为0.1～1000mm/s。上述制备方法能够实现10微米厚度以上再布线层快速成型，得到的封装结构结合力好，不会脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 成型 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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