[发明专利]一种硅异质结太阳能电池在审
申请号: | 202110621578.9 | 申请日: | 2021-06-03 |
公开(公告)号: | CN113130692A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 孙宝全;张国华;姜聪慧;宋涛 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/0747 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 夏苏娟 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,公开了一种硅异质结太阳能电池,包括基板和设置在所述基板上的发光量子点薄膜,所述基板包括依次设置的第一银栅层、第一ITO(氧化铟锡)层、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、第一N型单晶硅层、第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第二ITO层和第二银栅层,所述发光量子点薄膜覆盖在第一银栅层的外表面上。本发明通过引入发光量子点来修饰异质结硅太阳能电池,颜色单调的异质结硅电池可以呈现各种不同的颜色;并且这种异质结硅电池的短波吸收也大大降低,效率与商业化的异质结硅电池相近。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅异质结 太阳能电池 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的