[发明专利]一种窄边框TFT结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种窄边框TFT结构及其制作方法，包括GIP电路布局区，GIP电路布局区包括Metal1层、Metal2层、接触孔和ITO；Metal2层位于Metal1层上方，且Metal2层的宽度小于Metal1层的宽度；接触孔挖设于Metal1层与Metal2层的投影在相邻的部分重叠与部分非重叠的区域上方，且接触孔的底部与Metal1层和Metal2层相接触；ITO覆盖在接触孔内上方及四周。本发明通过将传统减光罩设计中分别挖设在GIP电路布局区的Metal1层和Metal2层上方的两个接触孔设计为一个接触孔，并通过ITO将Metal1层和Metal2层桥接，减少了GIP电路布局区所占的空间，降低了生产成本的同时也兼容窄边框设计，提高了TFT‑LCD的产品竞争力。