[发明专利]一种IML触控薄膜的电子元器件封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110616759.2 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113395831A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 艾建华;王三刚 申请(专利权)人: 深圳市合盛创杰科技有限公司
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18;H05K3/32
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 郭方伟
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新桥街道新*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种IML触控薄膜的电子元器件封装结构及其制造方法,该封装结构包括IML触控薄膜主体、导电线路层、电子元器件及导电胶体,导电线路层设置于IML触控薄膜主体上,电子元器件的引脚通过导电胶体与导电线路层连接;本发明的IML触控薄膜的电子元器件封装结构中使用导电胶体实现了电子元器件和导电线路层的电连接,提高了电子元器件和导电线路层之间的连接可靠性,尽可能避免电子元器件和导电线路层的连接位置在后续的拉伸成型等工序中开裂分离,提高了IML触控薄膜的良品率;还能在较低的温度下将电子元器件连接至导电线路层,避免IML触控薄膜在电子元器件的安装过程中因温度过高而烫伤,免去了装饰层波薄膜的设置,降低了生产成本。
搜索关键词: 一种 iml 薄膜 电子元器件 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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