[发明专利]一种IGBT器件及其制备方法和电子产品在审
| 申请号： | 202110615034.1 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113421920A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 兰昊 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 张桂蓉 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件及其制备方法和电子产品，属于集成电路技术领域。本发明公开的IGBT器件，其元胞区包括：栅极阵列；在栅极阵列的各个栅极之间的间隔区域设置有发射极电极，以使多个发射极电极围绕同一栅极，在每个发射极电极的下方形成有发射极源区，以及与发射极源区接触的第一体区，发射极源区与第一体区的接触区域沿发射极电极的设置方向分布。通过本发明解决了IGBT器件的抗闩锁能力弱、导通压降大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 及其 制备 方法 电子产品 | ||
【主权项】：
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