[发明专利]具有n-AlGaN层纳米多孔结构深紫外LED器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110593673.2 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380933A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 云峰;王傲霜;张烨 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张海平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有n‑AlGaN层纳米多孔结构深紫外LED器件及其制作方法，包括蓝宝石衬底、AlN层、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层、p电极及n电极；n‑AlGaN层及AlN层自上到下依次设置于蓝宝石衬底上，n电极及多量子阱层设置于n‑AlGaN层上，p电极10、p‑GaN层、p‑AlGaN层及多量子阱层自上到下依次设置于n‑AlGaN层上；n‑AlGaN层内设置有纳米多孔结构，其中，所述纳米多孔结构位于n电极及多量子阱层的正下方，该LED器件及其制作方法能够有效实现光提取效率的增强。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 algan 纳米 多孔 结构 深紫 led 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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