[发明专利]MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 202110590117.X | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113432777B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 朱恩成;陈磊;张强;闫文明 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L13/00 | 分类号： | G01L13/00;G01L19/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器，其中的MEMS压力传感器制造方法，包括对第一硅基体依次进行化学腐蚀和减薄处理，形成具有倾斜开孔的第一结构层；在第一结构层的最大开孔的一侧键合第二结构层，并对第二结构层进行减薄处理，形成敏感层；在敏感层上制作探测单元、焊盘以及覆盖敏感层、探测单元和焊盘的保护层；在第一结构层远离敏感层的一侧键合第二硅基体，并对第二硅基体依次进行干法刻蚀和减薄处理，形成具有规则开孔的第三结构层；在保护层上键合保护盖，保护敏感层结构，并最终形成MEMS压力传感器。利用上述发明能够利用单晶硅基底湿法腐蚀侧壁倾斜特性，通过开孔倒置键合方式扩大压力敏感膜的面积，并提高传感器整体结构强度和性能。 | ||
| 搜索关键词： | mems 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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