[发明专利]具有扩大栅极垫的半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202110589723.X | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113823570A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 薛彦迅;何约瑟;王隆庆;张晓天;牛志强 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 加拿大安大略多伦多国王西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装制造方法，包括提供一个晶圆、采用一个种子层、形成一个光致抗蚀剂层、电镀一个铜层、去除光致抗蚀剂层、去除种子层、施加研磨工艺、形成金属化和施加分离工艺等步骤。本发明还公开了一种半导体封装，包括一个硅层、一个铝层、一个钝化层、一个聚酰亚胺层、一个铜层和一个金属化。在一个示例中，栅极夹片的接触区域的面积小于栅极铜表面的面积，栅极夹片的接触面积大于栅极铝表面。在另一示例中，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铜表面的面积，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铝表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩大 栅极 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体国际有限合伙公司，未经万国半导体国际有限合伙公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110589723.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：起动机用电磁开关
- 下一篇：座、椅子及载荷支承体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
