[发明专利]一种半导体用硅靶材的制作方法在审
| 申请号： | 202110581999.3 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113199106A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;侯娟华 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/20 | 分类号： | B23K1/20;B23K1/08;B23K3/08 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体用硅靶材的制作方法，所述制作方法包括：对所述硅靶材的焊接面进行镀镍处理以及焊接铜丝处理；将所述靶材置于加热平台，0.4～0.5MPa加压条件下使焊料充分浸润焊接面；将所述硅靶材与背板扣合进行钎焊，冷却后完成制作。所述制作方法可以解决硅靶材在钎焊时的开裂现象，提高硅靶材与背板的焊接结合率，降低单个缺陷率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 用硅靶材 制作方法 | ||
【主权项】：
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