[发明专利]含钽膜的微纳米结构元件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110581884.4 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113460954A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 王文彦;王光月;金贻荣 申请(专利权)人: 北京量子信息科学研究院
主分类号: B81B7/04 分类号: B81B7/04;B81C1/00
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 王勤思
地址: 100089 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种含钽膜的微纳米结构元件的制备方法,包括以下步骤:S10、提供基底,并在所述基底上形成钽膜;S20、采用微纳米加工方法在所述钽膜上进行光刻胶涂胶、曝光、显影,形成图案化的掩膜;S30、采用干法刻蚀对含有掩膜的基底进行刻蚀,刻蚀条件为,使用气体流量为20sccm~40sccm的O2作为刻蚀气体,工作气压为10mTorr~50mTorr,刻蚀功率为50W~100W,刻蚀时间为10sec~30sec;S40、采用干法刻蚀以含氟气体作为刻蚀气体对所述钽膜进行刻蚀;以及S50、采用干法刻蚀对步骤S40得到的基底进行刻蚀,刻蚀条件为,使用气体流量为10sccm~50sccm的O2作为刻蚀气体,工作气压为10mTorr~50mTorr,刻蚀功率为50W~100W,刻蚀时间为10sec~30sec。本发明还涉及由所述制备方法制备得到的含钽膜的微纳米结构元件。
搜索关键词: 含钽膜 纳米 结构 元件 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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