[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室

摘要

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体及设置于腔室本体内的基座、沉积环及遮挡环；基座用于承载晶圆，基座内具有冷却结构，冷却结构用于对基座及晶圆进行冷却降温；沉积环环绕基座设置，沉积环包括环状的隔挡部，基座承载有晶圆时，隔挡部环绕晶圆；遮挡环可分离地设置于沉积环上，遮挡环位于沉积环上时，遮挡环环绕沉积环的隔挡部，并且遮挡环的顶面不高于隔挡部的顶面，以阻挡遮挡环的热量向晶圆传递。本申请实施例实现了隔挡部能防止遮挡环的热量传递至晶圆，使得晶圆表面能形成应力均匀的薄膜，从而大幅提高晶圆的良率，并且还能适用于应力较大的金属或合金薄膜，从而大幅提高适用性及适用范围。