[发明专利]一种氧化铝陶瓷坩埚、其使用结构及生长单晶的方法在审
| 申请号： | 202110576484.4 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113512754A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 罗福敏;柯尊斌;王卿伟 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铝陶瓷坩埚、其使用结构及生长单晶的方法，一种氧化铝陶瓷坩埚，包括氧化铝陶瓷坩埚、氧化铝陶瓷封帽、硅酸铝陶瓷纤维密封垫片和硅酸铝陶瓷纤维纸层；氧化铝陶瓷坩埚包括从下到上依次相接的籽晶腔、锥部和体部，体部顶部为敞口结构，氧化铝陶瓷封帽螺纹连接在体部顶部，陶瓷纤维密封垫片设在氧化铝陶瓷封帽螺和体部顶部之间；硅酸铝陶瓷纤维纸层活动铺设在氧化铝陶瓷坩埚内侧。本发明生长单晶时，用氧化铝陶瓷坩埚替代石英坩埚，不需要石英氢氧焰焊封，也不需要在VGF单晶炉内充入氮气平衡压力，降低了生产成本；通过的硅酸铝陶瓷纤维纸的设置，极大的程度上提高了单晶炉温场的稳定性，降低了磷化铟单晶的位错密度，提高了成晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铝陶瓷 坩埚 使用 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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