[发明专利]具有主动中介层的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110576481.0 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113764397A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 许平 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L25/065;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有主动中介层的半导体元件及其制备方法。半导体元件包括：一主动中介层，包括一可编程单元；一第一存储器晶粒，位于该主动中介层上方且包括一存储单元；以及一第一逻辑晶粒，位于该主动中介层下方。该主动中介层、该第一存储器晶粒、和该第一逻辑晶粒电性耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 主动 中介 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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