[发明专利]一种基于硅-二氧化硅-氮化硅结构的集成偏振分束器在审
| 申请号： | 202110564629.9 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113219587A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王嘉源 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B27/28;G02B6/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅‑二氧化硅‑氮化硅结构的集成偏振分束器，包括输入波导、偏振分束波导、第一输出波导和第二输出波导，输入波导与偏振分束波导一端连接，偏振分束波导另一端分别与第一输出波导、第二输出波导连接，偏振分束波导是由下至上依次分布的硅‑二氧化硅‑氮化硅构成的三层结构，其中，位于偏振分束波导上部的氮化硅层与中部的二氧化硅层的宽度相同并小于下部的硅层。本发明的偏振分束波导中，TE模式主要分布在下部硅层，TM模式主要分布在中间二氧化硅层，使得两种模式分开传输，不同信道的干扰减小，大大提高了偏振消光比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二氧化硅 氮化 结构 集成 偏振 分束器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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