[发明专利]一种用于忆阻器阵列的热循环架构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110563154.1 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299828A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 童祎;陈星宇;姚苏昊;张缪城;秦琦 | 申请（专利权）人： | 江苏存芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于忆阻器阵列的热循环架构及其制备方法，所述热循环架构包括从上至下依次贴合设置的底电极、翻转基板、势垒层和衬底层，所述衬底层设有导线散热通道，还包括与导线散热通道垂直设置的冷却液管道；本发明还提供了相应的热循环架构制备方法；本发明提供的热循环架构的导热性和稳定性较好，附着于其上的忆阻器阻态更稳定，可用于忆阻器网络的散热，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 忆阻器 阵列 循环 架构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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