[发明专利]一种一步法制备有机分子插层水滑石阵列的方法有效
| 申请号： | 202110562090.3 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113104872B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 邵明飞;范馗;栗振华;谢文富;卫敏 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01F7/785 | 分类号： | C01F7/785 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 王宇 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一步法制备有机分子插层水滑石阵列的方法。该方法基于水滑石层板与层间有机分子的限域作用，将插层的有机分子与层板金属盐配制成混合溶液，采用一步水热法直接制得有机分子插层的水滑石阵列，无须进行复杂的离子交换等处理过程。有机分子插层的水滑石的层间距显著扩大，增加了层间活性位点的利用率，有利于其电化学性能的提升。直接制备的阵列结构的有机分子插层水滑石能够有效防止粉体水滑石使用过程中堆叠或脱落现象的出现，能够进一步提高其活性位点暴露程度和稳定性。本发明制备的有机分子插层的水滑石阵列在超级电容器电极材料、金属离子电池电极材料、析氧反应、生物传感器等方面具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一步法 制备 有机 分子 插层水 滑石 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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