[发明专利]冷却装置、基板处理装置、冷却方法及基板处理方法有效
| 申请号： | 202110550962.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113707574B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 出村健介 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所涉及的冷却装置具备：流路，可使冷介质流通；凝结器，设置于所述流路；换热器，设置于所述流路；压缩机，设置于所述凝结器与所述换热器之间的所述流路；冷却器，冷却从所述凝结器流入所述换热器的所述冷介质；气体冷却部，向所述换热器供给气体，通过与所述冷介质之间的换热可冷却所述气体；第1温度计，可检测被冷却的所述气体的温度；第2温度计，可检测流入所述换热器的所述冷介质的温度；及第1控制部，通过所述冷却器可控制冷却流入所述换热器的所述冷介质的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 装置 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
