[发明专利]一种导电沟道日盲光电探测器

摘要

本发明公开了一种导电沟道日盲光电探测器，包括碳化硅、氧化镓、外延生长石墨烯和电极，所述氧化镓为两层，所述外延生长石墨烯位于两层所述氧化镓之间，所述碳化硅位于其中一层所述氧化镓下，所述电极为两个，两个所述电极与另一层所述氧化镓连接。与现有技术相比，以石墨烯为导电沟道的β‑Ga2O3/外延生长石墨烯/β‑Ga2O3三层式结构。该结构改善了器件的迁移率，从而大大提升了器件的响应速度。本发明具有高响应速度，高光暗电流比，高电子迁移率。结构简单，使用方便。