[发明专利]一种半导体中高斯分布能态间电荷生成、复合模拟仿真方法有效
| 申请号： | 202110547371.1 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113297818B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈秋松 | 申请（专利权）人： | 贵州师范学院 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体中电荷的生成与复合过程数值仿真模型的建立方法。该方法利用半导体材料中能态密度的Gaussian分布特性，直接计算载流子和陷阱电荷的生成与复合过程，同时通过引入有效能级中心或者有效准费米能级简化计算过程。从而提高了对新型半导体材料组成的电子器件设计的效率与准确性，缩小了产品设计周期，并且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 中高 分布 能态间 电荷 生成 复合 模拟 仿真 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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