[发明专利]增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110540609.8 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113517378B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的衬底的第二表面上布置有多个尖刺结构，第二表面为与第一表面相对的一面，所述尖刺结构为直角三棱柱，所述直角三棱柱包括第一棱柱面和第二棱柱面，所述第一棱柱面垂直于所述第二表面，所述第二棱柱面连接所述第一棱柱面和所述第二表面，且所述第二棱柱面与所述第二表面之间的夹角为θ，0°＜θ＜90°，每个所述直角三棱柱的所述第二棱柱面均朝向所述衬底的中心线。采用该发光二极管芯片可以增强侧面光强。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 侧面 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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